ALLRESIST光刻胶AR-P 672.045

　　ALLRESIST光刻胶AR-P 672.045

　　如果选择不同分子量的PMMA抗蚀剂获得较大的底切结构(剥离)两部分系统。 作为上层，建议使用乳酸乙酯PMMA，因为乳酸乙酯不与其他溶剂形成对比，攻击第二层。 对于下层，氯苯，茴香醚或乳酸乙酯PMMA是合适的。 两个回火步骤均在150°C下进行。建议：大底切(低分辨率)：底层50K，上层200K，600K或950K。 高分辨率(底切较小)：底层600K，上层950K。

　　系统50K / 200K更灵敏，双层完全以1500 pC / cm2的速度显影。 相比之下，600K / 950K需要更高的剂量，即2200 pC / cm2。 随着剂量的增加，更大的底切如果使用的是50K / 200K系统，则会产生这种情况，因此预定用于复杂的提起程序。 变体600K / 950K可以用于更高的总膜厚(> 500 nm)，并且是一种可靠的剥离系统，可轻松实现应用程序。 对于这些研究，始终使用AR 600-60(IPA)作为显影剂，这说明了相对较高的剂量和良好的工艺稳定性

　　与AR 600-60(IPA)相比，使用AR 600-55。 IPA的发展却带来了可观的发展更高的对比度(10.5：6.6)。因此，该开发人员注定需要更高的分辨率。经验进一步显示与更快的开发人员相比，处理窗口明显更大。剂量偏差例如容忍10%，没有任何质量损失。

　　在PMMA抗蚀剂的电子辐照下，主链断裂，分子质量从最初下降950 000 g / mol(950K)至5.000 – 10.000 g / mol。这种主链断裂主要是由于激进过程(请参阅下图)。在最佳剂量下，自由基会重组并形成分子量约为5000 g /摩尔但是，如果剂量急剧增加，则会产生大量自由基并发生交联从而获得具有更高分子量的分子。

　　PMMA变成负性抗蚀剂。这个效果在右图中描绘了该图，该图显示了标准工艺的等级曲线(AR-P 671.05，490膜厚30 kV，显影剂AR 600-56)。高曝光剂量会将抗蚀剂转换为负性抗蚀剂。

　　-电子束，深紫外线(248 nm)

　　-对玻璃，硅和金属有很好的附着力

　　-50K比950K高20%

　　-用于平面化和多层工艺

　　-最高分辨率，高对比度

　　-差异的聚(甲基丙烯酸甲酯) 分子量

　　-AR-P 631-671溶剂氯苯，快速闪烁。 28°摄氏度

　　-AR-P 632-672更安全的溶剂苯甲醚，闪烁p。 44°摄氏度

　　-AR-P 639-679较安全的溶剂乳酸乙酯，闪烁p。 36°摄氏度