IRD光电二极管AXUV20ADS

　　IRD光电二极管AXUV20ADS

　　AXUV系列检测器可对0.0124nm至190nm的光子，电子或X射线进行高性能测量，并以100%的内部量子效率检测100eV至50keV的能量。

　　2009年1月–加利福尼亚托伦斯–国际辐射检测器公司(IRD)半导体辐射传感器的主要制造商，用于检测光子和其他粒子，宣布推出AXUV100GX绝对X射线光电二极管。 X射线探测器具有已知的有源硅厚度和100%内部量子效率，可以绝对测量能量为100 keV的X射线通量超越。

　　IRD的AXUV 100GX光电二极管具有10毫米x 10毫米见方的活动区域，并带有空间温度操作和较小的探测器占地面积。 AXUV 100GX易于使用，与其他X射线探测器不同，它不需要外部电压即可操作。氮化氧化物AXUV 100GX二极管的前窗可提供高达Gigarad(SiO2)的辐射硬度，是普通PIN硅的10,000倍光电二极管。

　　具有直接沉积的薄金属滤光片的光电二极管可用于将对可见光的响应降低几个数量级。全世界同步加速器科学家正在使用IRD的高级传感器，并由太空科学家进行太阳光谱研究。 IRD的AXUV 100GX硅光电二极管现已上市。

　　1温度超过这些参数可能会在有源区上产生氧化物生长。随着时间的流逝，对低能量辐射和波长低于150 nm的响应性将受到损害。

　　2从外壳中取出0.080英寸，持续10秒。

　　3随附临时盖，以保护光电二极管阵列和引线键合。在取下盖子之前，请阅读应用说明“ AXUV，SXUV和UVG检测器的使用注意事项”。