ALLRESIST光刻胶ARP 672.11

　　ALLRESIST光刻胶ARP 672.11

　　电子束抗蚀剂系列AR-P 631-671，AR-P 639-679和AR-P 632-672是适用于各种电子束应用的正性抗蚀剂。将这些抗蚀剂过滤至0.2μm的粒径。

　　抗蚀剂的设计满足了先进集成电路制造中掩模生产的关键几何要求。PMMA聚合物层的特点是在玻璃，硅和金属上具有出色的附着力。

　　聚合物50K的灵敏度比聚合物950K高约20%。显影的图案在高达120°C的温度下具有热稳定性。

　　抗蚀剂AR-P 631-671，AR-P 639-679和AR-P 632-672可用于多层工艺和平坦化。具有低固体含量的抗蚀剂，适用于厚度低至30 nm的抗蚀剂，尤其适用于纳米光刻。

　　如果选择不同分子量的PMMA抗蚀剂，则可获得较大的底切结构(剥离)。两部分系统。 作为上层，建议使用乳酸乙酯PMMA，因为乳酸乙酯不与其他溶剂形成对比，攻击第二层。 对于下层，氯苯，茴香醚或乳酸乙酯PMMA是合适的。 两个回火步骤均在150°C下进行。建议：大底切(低分辨率)：底层50K，上层200K，600K或950K。 高分辨率(底切较小)：底层600K，上层950K。

　　系统50K / 200K更灵敏，双层完全以1500 pC / cm2的速度显影变体相比之下，600K / 950K需要更高的剂量，即2200 pC / cm2随着剂量的增加，更大的底切如果使用的是50K / 200K系统，则会产生这种情况，因此预定用于复杂的提起程序。

　　变体600K / 950K可以用于更高的总膜厚(> 500 nm)，并且是一种可靠的剥离系统，可轻松实现应用程序。 对于这些研究，始终使用AR 600-60(IPA)作为显影剂，这说明了相对较高的剂量和良好的工艺稳定性。